SUR DES CELLULES PHOTO~,LECTRIQUES AU SULFUItE DE CADMIUM ACTIVI~ par Paul GOERCKE SOMMA1RE.~ Apris un aperfu sur les proprigtds les plus importantes des ceUules au sul[ure de cadmium (CdS) on montrera, st6r quelques exemples, comment, par addition d'aetivateurs, on peut /aire varier ces propridtds. En prenant comme exemple le cas de l'acti~,ation par le cuivre et l'argent, on reprdsentera par un ensemble de courbes, l'in[luence du taux de l'activateur sat la r@artition spectrale de la sensibilitg, la rdsistance interne, le bruit de/ond et l' inertie des cellules au CdS. Par combinalson de plusleurs activateurs en proportions convenables, on peat adapter cette rdpartition spectrale dans le proche in#arouge, dans le ~,isible, ou dans le domaine des eourtes longueurs d'onde selon l'utilisation choisie.
PROPRIETES DES
LES
CELLULES
PLUS
IMPORTANTES
PHOTOELECTRIQUES
AU S U L F U R E
DE
CADMIUM
La modification ~ du sulfure de cadmium CdS pr6sente, dans certaines conditions, un tr~s fort effet photo61ectrique, qui se manifeste par une variation aussi bien de la conductibilit6 61ectrique [l "h 19] que des constantes di61ectriques [20]. Ces propri6t6s photo61ectriques seraient provoqu6es par des centres de perturbation clans le r6seau cristallin du CdS, et peut-~tre aussi seraient-elles influenc6es par certains groupements d'atomes [21]. Les centres de perturbation du r6seau cristallin peuvent aussi bien gtre des exc~s d'atomes de Cd, que des atomes 6trangers au r6seau (activateurs). Le type et la concentration de ces centres de perturbation d~terminent les propri6t6s photo61ectrlques. Si l'on a affaire h des centres de perturbation par exc~s d'atomes de Cd, on a un maximum de la sensibilit6 photo61ectrique caract6ristique, qui, h la temp6rature ambiante, est situ6 vers 0,51 ~z; au voisinage se trouve la limite d'absorption caract6ristique du r6seau de base du CdS. Ce maximum est d'autant plus prononc~ que le champ 61ectrique dans la cellule photo61ectrique, et corr6]ativement la tension aux bornes, est plus ~lev6 [3]. Dans le cas d'autres activateurs dont il sera trait6 plus loin, on observe souvent un aplanissement des maxima lorsque le champ crolt. Une eomparaison de ]a sensibilit6 photo61ectrique aux diff6rentes longueurs d'ondes de diverses cellules n'est seulement possible que si les mesures sont effectu6es dans des champs 6gaux. Pour les longueurs d'onde inf6rieures ~t 0,52 ~t, le CdS a des propri6t6s d'absorption et de r6flexion voisines de celles des m6taux. La profondeur de p6n6tration de l'ultraviolet et du visible de courte longueur d'onde est d~s lors tr~s faible, et la sensibilit6 photo6Iectrique est un effet de surface caract6ris6. La sensibilit6 au rayonnement darts la direction des plus courtes Iongueurs d'onde s'6tend au delh du domaine de l'uhraviolet et des rayons X j usqu"~ la r6gion du rayonnement quantique le plus
riche en 6nergie, et embrasse aussi les rayonnements corpuseulaires Jill, [12], [14]. Pour les longueurs d'ondes sup6rieures h 0,52 ~t, deux effets superpos6s peuvent ~tre observ6s. D'une part, il existe 6galement dans cette r6gion une sensibilit6 photo61ectrique positive comme pour les ondes plus courtes, c'est-h-dire que la conductibilit6 d'une cellule crolt par irradiation. Mais, clans certaines conditions d'activation, cette photosensibilit6 primaire est masqu6e par un tr~s fort effet d'extinction, effet qui a son correspondant dans les produits phosphorescents et dans les 6mulsions photographiques. Pour une cellule pr6c6demment ou simultan6ment cxcit6e par un rayonnement de courte longueur d'onde, la conductibilit6 d6crolt pour une irradiation de longueur d'onde plus grande que 0,52 ~t ; mais au d6but de l'illumination par un rayonnement de grande longueur d'onde, on peut observer tout d'abord une certaine 6]6vation de la conductibilit6. La coexistence des deux effets peut gtre observ6e jusqu'h des longueurs d'onde de 1,6 ~t. De plus grandes longueurs d'onde ne sont pratiquement plus gu~re absorb6es dans le cadmium. L'importance du second effet d6pend, cornme l'absorption, du type et de la concentration des centres de perturbation, et peut par consequent ~tre accrue ou supprim6e au moyen d'activateurs appropri6s. Du fair de la diminution de l'absorption, la photosensibilit6 est, pour ces grandes longueurs d'onde, un effet de volume, et par cons6quent, contrairement h la photosensibilit6 aux courtes longueurs d'onde, elle est fortement influenc6e par l'6paisseur de la couche photosensible. Les valeurs donn6es dans les documents scientifiques sur la sensibilit6 des cellules au CdS varient dans les limites extraordinairement 6tendues. Cela provient du fait que, par les proc6d6s de fabrication connus jusqu'ici, la concentration des centres de perturbation 6tait souvent purement fortuite, de sorte que, dans des cristaux obtenus simultan6ment, pouvaient apparaltre de grandes diff6rences de sensibilit6. Pour rendre possible une comparaison imm6diate de l'ordre de grandeur des qualit6s du CdS et des
[ ] Pour tout renvoi entre crochets se reporter in fine ~ la bibliographic. 325
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GOERCKE
cellules photo61ectriques g6n6ralement employ6es dans la technique, on a reproduit sur la figure I la caract6ristique statique d'une cellule au CdS (activ6e). Comme points de repute pour l'6tendue de l'6clairement repr6sent6 sur la figure, on dolt mentionner que l'6clairement de la pleine lune est d'environ 0,2 lux, et que l'6clairement d'une piece par la lumi~re du jour est de 300 lux. La r6sistance d'obseurit6 de la cellule en question s'61~ve "~ environ ~mg
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Cellule
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30 000 Mr2, et le plus faible 6clairement d6teetable est de l'ordre de ~0-5 lux, soit un flux lumineux tombant sur la cellule de 3.10 -9 lumen. I1 faut toutefuis souligner qu'avee des cellules CdS activ6es d'une mani~re particuli~re on peut arriver h des valeurs consid6rablement plus basses (diff6rant de plusieurs puissances de 10). Comme on le volt sur la figure l, ]a cellule consid6r6e a, pour des faibles 6elairements ( ~ I ~. lu) une pente d e 10 A/lu, et pour des 6clairements plt, s forts ( ~ 10 mlu) une pente de 3 A/lu. Les deux valeurs sont valables pour m: champ de 250 V/'cm (100 V de tension aux bornes de la cellule). Dans l'hypoth6se que la temp6rature reste constante, le conrant qui traverse la cellule est, dans une large mesure, proportionnel h la tension. En augmentant le champ 61ectrique jusqu'h la valeur de 5 kV/cIn encore admissible pour la cellule, on obtient avec cette mgme cellule des valeurs de la pente d'environ 185A/lu. Toutefois, des valeurs attssi 61ev6es de la pente ne sont r6alisables que pour de trt~s faibles densit6s d'6clairement, par suite de l'6chauffement des cellules. La charge encore admissible pour une cellule donn6e sera seulement limit6e par l'6chauffement m a x i m u m que la couche sensible peut supporter. Elle d6pend "~la fois de ]a puissance du rayonnement absorb6e, de la chdleur produite par le courant dans la cellule (pour les cellules di61ectriques cette chaleur est fonction de la fr6quence de l'oscillateur et des 326
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D E S TI~.LI~COMMUNICATIONS
pertes di61ectriques correspondantcs) ainsi que du refroidissement. Des changements durables dans la structure du CdS, et par suite des variations dans les propri6t6s de la eellule, se produisent pour des temp6ratures sup6rieures h 360 ~ C ; eependant, des irr6gularit6s dans la relation entre la temp6rature et la r6sistance de la cellule peuvent d6jh ~tre (,bserv6es pour des temp6ratures sup6rieures h 200 ~ C, et naturellement la eourbe de r6ponse spectrale d'une cellule est in/luene6e par sa temp6rature. Les relations entre la temp6rature ont 6t6 6tudi6es entre autres par NIEKISCH [7) et VEITH [19 I. La pente qu'on obtient avec la eellule d6crite (cellule qui n'est compos6e que d'un petit cristal de • 6 >< 0,3 mm avec des 61ectrodes pour amener le courant), est aussi grande que celle des photocathodes munies de mu]tiplicateurs d'61ectrons, et elle est, de beaucoup, Sl,p6rieure h celles des cellules simples classiques (cellu!es "~vide de 10 h 100 [~ A/lu, cellules h gaz de ] 00 h 500 ,,A/lu: cellules au s616nium de 0,5 t~ 5 mA/lu). N6anmoins, la comparaison entre les sensibilit6s des diff6rentes cellules exprim6e en A/lu a seulement un sens, si ces cellules (comme dans le cas actuel) ont une courbe de sensibilit6 spectrale voisine de celle de 1%:il humain, et si les valeurs sont rapport6es h la m6me source de rayonnement. Dans beaucoup de eas, on obtient une meilleure comparaison par l'expression du rendement quantique du r6eepteur de rayonnement, c'est-'h-dire en d6finissant le nombre d'61ectrons qui, par suite de l'apport des quanta d,, rayonnement, deviennent dlsponibles pour la conduction. Ce rendement quantique est de l'ordre de ~ t / 5 pour les photocathodes, de ,-~ '1/3 pour les cellules au s616nium, de ~ 3/4 pour ]es cellules au sulfure de plomb, tandis que pour les cellules au CdS il peut 6tre sup@ieur h 104 [5]. Si les cellules au CdS, malgr6 leur sensibilit6 consid6rable, ne s o n t pas encore utilis6es dans l'industric, bien que leur fabrication, en comparaison de cello des autres cellules, soit tr~s simple et peu on6reuse, c'est pour les raisons fondamcntales suivantes : 1~ I)e tr~s grandes diff6rences darts les propri6t6s des diverses cellules, ,nt~me lorsqu'elles 6talent obtenues simultan6ment dans les m6mes conditions, semblaient in6vitables. 2~ beaucoup de cas, la r6partition spectrale de la sensibilit6 ne convenait pas ; en particulier, pour un 6clairage par une lampe h incandescence, la sensibilit6 darts le rouge 6tait insufiqsante. Un manque de sensibilit6 dans le rouge (effet positif) en liaison avec un effet d'extinction tr~s d6velopp6 par le rayonnement infrarouge peut abaisser la sensibilit6 apparenle des cellules utilis6es ave,- les lampes h incandescence, h une fraclion de leurs vraies valeurs. Cc fait se produit en particulier pour les cellules aclivaes par le seul Cd en execs. 30 Trop grande inertie des eellules, e'est-'h-dire chute importante de la sensibilit6 lorsqu'on module 'h des fr6quences audibles 61ev6es.
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CELLULES
PHOTO1~LECTRIQUES
4o Instabilit6 des cellules au tours de leur fonctionnement, provoqu6e dans la p]upart des cas par un bruit de fond trop 61ev6 (bruit de courant des semi-conducteurs), quelquefois aussi par des difficult6s dans l'6tablissement des contacts avec les 6lectrodes amenant le eourant (effet de redressement), si ]a technique de fabrication des cellules n'est pas au point. 5~ Pour quelques applications, r6sistance interne de la cellule soit trop 61ev6e, soit trop faible. Dans la suite de l'article, on d6montrera par quelques exemples que, grace h une activation appropri6e, c'est-h-dire par l'introduction d'un ou de plusieurs atomes 6trangers au r6seau cristallin du CdS, et par un dosage de la densit6 des divers centres de perturbation, il est possible d'6viter enti~rement ou en partie les inconv6nients 6num6r6s ci-dessus. I1 sera au moins possible de trouver un compromis entre des propri6t6s oppos6es, pour parvenir au but d6sir6. INFLUENCES SUR
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AU S U L F U R E
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CADMIUM
l'argent, la teinte passe du jaune-vert h la tcrre dc Sienne. Cette variation de la couleur est li6e ~ une augmentation de l'absorption du rayonnement darts les cristaux sans que, pour cela, la position de la limite d'absorption caract6ristique du r6seau de base du CdS soit chang6e. On reconnalt la pr6sence de traces, mgme infimes, d'un certain hombre d'activateurs, par l'intensit6 et la r6partition spectrale de leur luminescence lorsque les cristaux sont excit6s par de la lumi~re ultra-violette. Tandis que les cristaux CdS de composition strictement stoechiom6trique ne pr6sentent aucune luminescence, de faibles traces de cadmium en exc~s donnent une luminescence d'un rouge 6carlate ; des traces d'or, une tr&s intense luminescence rouge vif ; des traces &argent, une luminescence rouge sombre, et des traces de cuivre donnent une tumi6re infrarouge avec un prolongement darts le visible. lO s
L~ACTIVATEUR
LES PROPRII~TI~S
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CELLULES
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Un proc6d6 mis au point par l'auteur perlnet, pour de nombreux semi-conducteurs, de modifier le genre des activateurs et la concentration des centres de perturbation, dans de grandes limites ; le traitement permet d'introduire dans le semi-conducteur simultan6ment, ou par un traitement ult6rieur, un ou plusieurs activateurs d'une concentration choisie h l'avance, et en mgme temps de les r6partir d'une fa~on homoggne h l'int6rieur. Le proc6d6 peut ~tre appliqu6 a u x monocristaux ou aux couches semi-conductrices vaporis6es, sans que leur forme ext6rieure soit modifi6e. Par ce proc6d6, il est maintenant possible de fabriquer en s6rie des cellules au CdS de caract6ristiques peu diff6rentes et de propri6t6s pr6d6termin6es. Le grand hombre des 616ments, dont l'introduction dans le r6seau cristallin modifie les propri6t6s photo61ectriques du CdS peut ~.tre, pour une fabrication industrielle des cellules photo61ectriques, s6par6 grossi6rement en deux groupes : premi6rement, les activateurs qui exercent une action sur la grandeur et la r6partition spectrale de la sensibilit6 du CdS, deuxi6ment, les 616ments qui, en faible concentration, ont une influence sur les r6sistances internes des cellules, et qui, en grande quantit6, d6truiraient les propri6t6s photo61ectriques (killer). Un exemple typique du premier groupe estle cuivre, et du second groupe, le mercure. Ext6rieurement, on reconnalt d6jh l'influence de quelques aetivateurs ~ la coloration du CdS. Par exemple, un apport de cuivre de ~0-7 lois le poids du CdS donn~ d6j'a un virage appr6ciable du jaunevert vers le jaune. Une augmentation de la quantit6 de cet activateur fait passer la couleur h l'orang6 puis au brun ct au noir; pour unc activation h
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La description des influences caract6ristiques dc tous les activateurs 6tudi6s jusqu'ici, sur les propri6t6s photo61ectriques du CdS en fonction des conceittrations des activateurs, d6passerait largenlent le cadre de cet expos6, qui est seulement destin6 /a indiquer l'importancc d'une activation convenablement dos6e. La figure 2 montre, ~ titre d'exemple,
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la.
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l'influenee earaet6ristique du taux d'aetivation par le cuivre sur la r6partition speetrale de la sensibi]it6. Les eourbes eorrespondantes pour une activation par l'argent sont donn6es ailleurs [21]. Les mesures ont 6t6 effeetu6es sur une eouehe de CdS vaporis6e de J0 ~ d'6paisseur avec un exe6s constant de Cd et avec un champ 61eetrique de J 00 V/era. Les courbes de sensibilit6 sont reproduites telles qu'elles ont 6t6 fournies par un speetrographe P~aKIN-Et.MER adapt6 pour ces mesures, et elles correspondent h la r6partition speetrale d'une l ampe h incandescence 'h filament de tungst6ne (temp6rature du filament 2 200 ~ K). Pour rapporter ]es eourbes sur un spectre d'6nergie eonstante ou pour une autre source lumineuse, on a reproduit une eourbe, qui est d6duite de la r6partition d'6nergie de la source de lumi6re utilis6e pour les mesures. En multipliant los valeurs de eette eourbe par les valeurs 10s
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[ANNALES DES T~L]~COMMUNICATIONS
sensibillt6. Les influences d'un effet d'extinction possible dans les mesures dans le rouge ou l'infrarouge sont 6vit6es par des mesures de protection (filtre eonvenable absorbant la lumi6re diffus6e de plus faible longueur d'onde et extinction pr6alable et compl6te d'une excitation pouvant encore exister). Comme on ]e volt d'apr6s les eourbes, de tr6s faibles additions d'activateurs provoquent une 616vation de la sensibilit6 totale de la eellule. Une addition eroissante de cuivre d6plaee le m a x i m u m de sensibitit6 toujours plus vers le domaine de ]ongueur d'ondc caraet6ristique de I'activateur cn question. Pour le enivre, ce domaine se trouve vers 0,7 ~. En mSme temps, le maximum situ6 vers 0,51 ~z correspondant h u n excSs de cadmium est de plus en plus abaiss6. Une activation trop forte diminue la sensibilit6 totale de la cellule. L'influence du taux d'activation par du cuivre stir la r6sistance interne de la cellule (r6sistance d'obseurit6 et r6sistance pour un 6claivement de 20 lux pat" urie lampe "~ filament de tungst6ne) est repr6sent6c sur la tigure 3. Les r6sistances croissent tr~s vJtc avec le t a u x de l'activateur. L'influence des activateurs sur le bruit de fond propre des eellules est tr6s marqu6e. On a report6
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FIG, 3 . - R6sistance d'obscurit6 Ro et r6sistance R20 pour un 6claircment de 20 lux en fonciion du taux d'aclivation avec Ca (valeurs statiques).
de la sensibilit6 correspondante, on obtient imm6diatement les courbes de sensibilit6 rapport6es h un spectre d'6nergie constante. Les courbes de r6partition spectrale repr6sent6es ici ont 6t6 enti6rement relev6es en illuminant la cellule avec une lumi6re alternative de fr6quence '13 Hz, et donnent seulement l'effet primaire de la photo-
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O'AC TiVATION
Fro. 4 . - Bruits dc fond d'une cellule de CdS en fonction de l ' a c t i v a d o n (constantc de temps de Finstrument de
mesu,'e : 4 s). sur la tlgure 4 les valeurs moyennes, darts le temps, de la tension de bruit de fond pour des cellules non 6elair6cs activ6es par du cuivre et de r a r g e n t , cn fonction du taux de ces activateurs. Comme pour beaucoup de seml-conducteurs, lc bruit de fond des cellules au CdS d6pend f o r t e m e n t du courant et crolt h peu pr6s proportionnellement h
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CELLULES
PttOTOI~LECTRIQUES
12. Les cellules fortement activ6es au cuivre ou ~ l'argent, par suite de leur grande r6sistance interne, conviennent particuli6rement bien pour la (l(~'tection de faibles puissances de rayonnement, car, malgrb. un fort clmmp 61ectrique appliqu6 [,our obtenir une forte pente, on a de petits courants el: par cons6quent, un faible bruit de fond. Des cellules avec peu d'activateur h l'argent ou au cuivre ont, il est vrai, une meilleure sensibilit6 giobale, reals, par contre, pour un m@m champ 61ectrique, un bruit de fond notablement plus 61ev6. Ces derni~res cellules conviennent dans les cas oh une grande sensibilit6 ct une faible r6sistance interne sont plus importantes qu'un faible bruit de fond, par exemple : le d6clenchement des relais sous des tensions r6duites. Des remarques semblables sont valables aussi pour des cellules dot~t la r6sistance interne a 6t6 abaiss6e artificiellement.
AU
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fortement l'inertie, et des ceIlules ainsi fortement activ6es pourront 8tre utilis6es avec uu amplificateur appropri6 j u s q u ' i la limite des fr6quences audibles. l,es eourbes de r6partition spectrale de la figure 6 montrent par quelques exe!nPles comment des cellules au CdS, aussi bien sous forme monocristalline qu'en couches vaporis6es, peuvent 8tre adapt6es h des besoins d6termin6s par un choix convenable des activatem's et de leur concentration. Les courbes des figures 5 et 6 sont valables pour une ilhlmination avec une lampe h incandescence.
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L'influence d'un activateur sur l'inertie des cellules est repr6sent6e sur la figure 5. Les courbes ont 6t6 obtenues par des mesures avec des impulsions lumineuses rectangulaires de ~00 lux d'amplirude. Les variations de la r6sistance d'une cellule au CdS (ceci est 6o'alement valab]e pour la constante di6iectrique) ne suivent pas, lots des variations brusques du rayonnement, une loi exponentielle ou une autre loi simple ; m a i s elles affectent, an eontraire, ]a forme d'une courbe en S ; une d6finition de l'inertie par l'indication de la constante de temps n'est donc pas possible dans ce cas. Pour de faibles 6c!airements, et de petites diff6rences d'6clairement, l'inertie des cellules augmente. Pour la mesure de faibles diff6rences d'6clairement, il est souvent utile de placer les cellules sous un 6clairement constant, d'autant plus que la pente des cellules dScrolt au voisinage de la r6sistance d'obscurit6. Comme on le volt sur la figure 5, une activation des cellules par du cuivre ou de l'argent dinfinue
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En cons6quence, pour les ramener h u n spectre d'6nergie constante, on dolt les multiplier par le facteur de multiplication port6 sur la figure. On trouvera sur les courbes de la figure 6 : Courbe 1 : la sensibilit6 spectrale d'un monocristal de CdS fabriqu6 par le proc6d6 de FRERICHS [3]. Courbe I I : la sensibilit6 spectrale d'une couche vaporis6e adapt6e i la sensibilit6 de l'ceil humain (sensibilit6 de l'ceil r6duite pour la source lumineuse utilis6e, courbe pointill6e). Courbe III :la sensibilit6 d'une couche vaporis6e dont le maximum est d6plac6 vers la limite infrarouge du spectre visible. Courbe IV : la sensibilit6 d'une couche vaporis6e et courbe V : les caract6ristiques d'un monocristal dont les sensibilit6s ont 6t6 6tendues sur toute la gamme visible et au delh, d'une mani6re uniforme, par action de plusieurs activateurs de concentrations choisies. La figure 7 montre qu'il est possible d'6tendre la sensibilit6 des cellules au CdS encore plus loin dans l'infrarouge, et mSme jusqu"h 1,5 tx ou 1,6 Ix.
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Les courbes I e t III montrenl~ les sensibilit6s des cristaux activ6s, el la courbc II la scnsibilit6 d'une touche vaporis6e. On a limit6 la courbe de sensibilil6 de ces cellules dans l'infrarouge 5 l'endroit o~'~ le bruit de fond cst 6gal au signal. 10'
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[ANNALES
DES
TI~LI~COMMUNICATIONS
mbtre, photonabtre (on peul encore fabriquer de petites cellules Irbs sensibles avec des surfaces de woins de I ram2), appareils de prise de r u e pour /616vision et rayons X, instruments de mesure pour rayonnements quantiques riches cn 6nergie, et rayonnements corpusculaires, sans oublier la grande majorit6 des instruments qui 6talent 6quip6s jusqu'ici avec des cellules h photocathodes, dans les cas oh la plus grande inertie des cellules au CdS n'est pas une g~ne. Les ce]loles di61ectriques au CdS semblent 6galement ~tre d'uu tr~s grand int~rt~t. II s'agit de petits condensateurs dont le diblectrique est constitu6 par du CdS. La capacit6 de ces condensateurs d6pend du rayonnement incident, parce que celui-ci change aussi bieu la partie r6elle que la pattie imaginaire de la constante di61ectrique du CdS. L'utilisation d'une telle capacit6, comme pattie d6terminant la fr6quence d'un oscillateur, transpose d'une mani6re simple une modulation de rayonnement en une modulation de fr6quence, et par une multiplication de fr6quence ult6rieure on peut encore augmenter le degr6 de modulation. Des microcristaux de CdS formant le di6lectrique sont isol6s les uns des autres par moulage dans un isolant ; on supprime ainsi en grande partie le bruit de fond de courant du semiconducteur, et on obtient un r6cepteur de rayonnement dont la sensibilit6 limite surpasse encore beaucoup celle des cellules au CdS h variation de conductibilit6, sensibilit6 limite qui jusqu'ici n'a pu ~tre atteinte par d'autres r6cepteurs de rayonnement. L'influence des activateurs sur la sensibilit6 spectrale des cellules di61ectriques est analogue celle qui a 6t6 d6crite pour les cellules ~ conductivit6. La technique de fabrication des cellules au CdS est tr6s simple en comparaison de celle des photocathodes, el. les prix de revient sont de ce fait plus bas. Les anciennes ditlicult6s dans la fabrication industrielle de telles cellules pouvant ~tre surmont6es darts une large mesure par un dosage pr6alable des activateurs, on peut pr6vojr que les cellules au CdS joueront bient6t un r61e important darts la technique. Manuscrit regu le 17 /uillet 1951. BIBLIOGRAPHIE []] GUDDEN (B.), POHI, (R.), Observations sur la photoelectricit6 du sulfure de zinc. (Lichtelektrische Beobachtungen an Zinksulfiden), Zeitschr. [. Phgsik, (Dschl.) 2, 181. (1920), pp. 361. [2] Farnlcns (R.), Sur les propri6t6s optiques et ~lectriques du CdS pur. (Ueber die optischen und elektrischen Eigenschaften des reinen CdS.) Naturwissenscha/ten (Dtschl.), Nov. t946, pp. 154. [3] FnEntcns (R.), La photoconduetivit6 des substanees r semi-phosphorescentes ~. (The photeconductivity of ~ incomplete phosphors ~.) Phgs. Re~,., U. S. A. (1er octobre 1947), 72, n o 7, pp. 594601. [4] F n s , , c n s (R.), Wanm,nsxY (R.), Mesure des rayons {3 et ~" h l'aide de l'effet photo61ectrique interne dans les phosphores (Die Messung yon und y Strahlen mit ttilfe des inneren photoelek-
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CELI,ULES; PtIOTOI~LECTRIQUES AU SULFURE DE CADMIUM
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para ttre prochainement).